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ITO方阻和IC驱动的关系

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发表于 2012-2-12 20:09:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 pixcir 于 2012-5-16 08:53 编辑 $ y& Q/ }9 T; {

2 o5 C+ I8 Q! B0 K, Q. G8 I方阻大的话,一般的说法是和IC的驱动能力有关,但是怎么驱动的,一般都不是很清楚。这里做个简单的解答:首先IC的驱动原理多半是对ITO所组成的电路进行驱动,电路中形成的电势场是一个平衡,当手指(其他导电体,如电容笔,硬币,毛刷等)触摸到电容屏上,电势场平衡被破坏,这里有几种判断方式,多数最终还是借由电压,电流变化来探测触摸点的位置坐标。通过C=I*T的公式可以看出,电容要充放电和电流有关,当电阻过大,电流自然会小,最终电容可以被充满电,但是T就会很长,导致触摸反应速度下降,每秒报点数下降,F=1/T,扫描频率下降。一般来说整条ITO的线阻最好能在20K欧姆以内。目前市场上ITO图形当中,菱形由于交叉点窄,电阻较大,比较难控制,不过菱形的图形是没有专利的。条形ITO的阻抗可以很容易做到很小,整个的条形结构,没有电阻瓶颈,很容易做到10K以内。但是条形ITO会有专利的影响,当然很多家都号称对条形ITO图形具有专利,你信不信,反正我是信了。
9 H8 f% k+ Q( V; o* G" ?9 n" v+ ?+ `有不清楚的地方请提问。
) M" j, d) O2 c2 j* N  j
发表于 2012-2-13 10:20:30 | 显示全部楼层
楼主,你好。请教下:方阻的大小跟Film的材质是不是有关系?不仅仅跟ITO图形设计有关?
发表于 2012-2-13 16:28:26 | 显示全部楼层
方阻是ITO的电阻率
 楼主| 发表于 2012-2-13 16:31:04 | 显示全部楼层
是的,材料的导电性不同,阻抗也会不一样。
发表于 2012-2-14 13:14:51 | 显示全部楼层
请教楼主,现在有些手机方案要求将IC做到主板上,这会是以后的趋势吗?如果真是这样,那CTP厂的竞争力又在哪里?
发表于 2012-2-14 13:46:44 | 显示全部楼层
重點、直觀一點應該在線阻的大小,; M( S9 c0 Z4 f5 R6 I
方阻只是間接相關,並非絕對性
) V2 o. P% H  O+ p! Q0 L! G
  S8 |/ P" ]& s* f$ P" Wps. 當然線組跟方阻是有正相關的,3 |: i. i' h, _8 [; [6 d7 ^
所以,如果在相同的layout設計下,) g7 }( r' H& S7 ?5 p1 V
方阻越小==>線阻越小
3 I, L0 q9 {7 l- n
9 X: Y6 [9 K6 O& ~% o如果layout不同,則方阻小,不見得線阻就小9 }& i8 ~' g9 ?
ex.  "条形ITO的阻抗可以很容易做到很小"
 楼主| 发表于 2012-2-15 08:44:55 | 显示全部楼层
本帖最后由 pixcir 于 2012-2-15 15:10 编辑 ' `8 k7 e$ J: a
alanhaluya 发表于 2012-2-14 13:14 0 L3 R+ X: S& x# M
请教楼主,现在有些手机方案要求将IC做到主板上,这会是以后的趋势吗?如果真是这样,那CTP厂的竞争力又在哪 ...

3 ^  L2 p1 Z' s3 f: }. b8 r4 M/ ^. c+ Z2 {2 N8 R
IC做到主板上,对电容屏模组厂是好事也是坏事,说白了,就是个危机。
2 T& G5 i9 W2 b9 A优点:像苹果一样,电容屏厂就是加工厂,提高自己的良率,其他的一切都不用管。当然还有其他的优点。8 ~6 J* k$ Y" K4 _+ ^6 S

6 Q& j; Y) j: F. k; d* Z坏处:电容屏生产的门槛降低,大批的加工厂涌入,导致行业利润微薄,难以为继,所有的人必须做好自己的特色。) x# n) d% Y! U
" @( J- {7 \7 L9 T- {
以我做IC的角度来说,我们很想和CTP厂做个融合,就如我在芯片方案中帖子的抱怨,问题太多,难度太大,技术,渠道管理都有不规范的地方,操作起来很麻烦。5 [" h; @3 ?& ~5 M; {
而我们和系统主板捆绑的话,问题就会小很多,但是技术难度更大一些,但是还是可以实施的。目前有些IC已经走在前面了。, @' p0 T! Z7 `( Y, \: J0 b$ q1 o
发表于 2012-2-15 11:45:42 | 显示全部楼层
发表于 2012-2-17 16:29:55 | 显示全部楼层
顶起来。祝贵司找到合适的人才,生意红火。
发表于 2012-2-17 17:31:36 | 显示全部楼层
好贴不能沉~
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