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楼主: pixcir

ITO方阻和IC驱动的关系

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发表于 2012-5-14 00:55:24 | 显示全部楼层
:lol
发表于 2012-5-11 21:41:01 | 显示全部楼层
发表于 2012-5-12 21:36:56 | 显示全部楼层
支持一下,好贴
发表于 2012-5-12 23:18:35 | 显示全部楼层
好贴~~~~~~
发表于 2012-5-14 15:58:15 | 显示全部楼层
方阻与线阻概念不能混了,不然大家会误解。
- I" \/ C9 w( V, @  I方阻是在镀膜的时候已经定了的。线阻是在做SENSOR设计时才定。
发表于 2012-5-16 08:33:21 | 显示全部楼层
貌似,PATTERN 与 结构设定OK后,电容值与ITO Film的方阻没多大关系,主要与产品各部件的厚度及介电常数有关系。
 楼主| 发表于 2012-5-16 08:54:30 | 显示全部楼层
snmq623 发表于 2012-5-14 15:58 % y1 V% J1 [5 p5 a
方阻与线阻概念不能混了,不然大家会误解。4 _7 b6 W8 F% O% x; P& b1 G/ @
方阻是在镀膜的时候已经定了的。线阻是在做SENSOR设计时才定。
! a6 z1 P% t4 s2 s( s
感谢提醒。改了。' R! I& w1 B0 R+ `2 w
 楼主| 发表于 2012-5-16 08:55:59 | 显示全部楼层
Akuma、Min 发表于 2012-5-16 08:33
1 R. B. }3 P6 j; s貌似,PATTERN 与 结构设定OK后,电容值与ITO Film的方阻没多大关系,主要与产品各部件的厚度及介电常数有关 ...

& L; @% Q! m8 z0 R, Q0 @1 T电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的是报点率的问题。# _. e: `2 M$ I, m
发表于 2012-5-16 09:20:22 | 显示全部楼层
pixcir 发表于 2012-5-16 08:55 1 m4 h) K1 }0 G- C! q
电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的 ...

$ q& x7 [: P1 s$ A1 F- u! d+ @ 恩,了解,我之前的回复是回答前面有位仁兄提及的某项目,两次打样样品电容值差很多,其怀疑是ITO Film烘烤方阻变化的问题。* j" P0 O: G% Z. [  g* N% @1 p0 a
发表于 2012-5-17 05:34:13 | 显示全部楼层
能不能搞点资料发给我啊 910610161@qq.com
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