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楼主: pixcir

ITO方阻和IC驱动的关系

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发表于 2012-5-14 00:55:24 | 显示全部楼层
:lol
发表于 2012-5-11 21:41:01 | 显示全部楼层
发表于 2012-5-12 21:36:56 | 显示全部楼层
支持一下,好贴
发表于 2012-5-12 23:18:35 | 显示全部楼层
好贴~~~~~~
发表于 2012-5-14 15:58:15 | 显示全部楼层
方阻与线阻概念不能混了,不然大家会误解。
- @" Q6 W& |: c+ ~方阻是在镀膜的时候已经定了的。线阻是在做SENSOR设计时才定。
发表于 2012-5-16 08:33:21 | 显示全部楼层
貌似,PATTERN 与 结构设定OK后,电容值与ITO Film的方阻没多大关系,主要与产品各部件的厚度及介电常数有关系。
 楼主| 发表于 2012-5-16 08:54:30 | 显示全部楼层
snmq623 发表于 2012-5-14 15:58 . ?6 x1 Z8 x9 d% I) ?
方阻与线阻概念不能混了,不然大家会误解。$ X# r1 L7 ]5 G2 U' l
方阻是在镀膜的时候已经定了的。线阻是在做SENSOR设计时才定。

* n* f+ G6 ?3 r( I7 O. y4 P感谢提醒。改了。) ]" I5 W) N+ [! e1 R0 ?' z
 楼主| 发表于 2012-5-16 08:55:59 | 显示全部楼层
Akuma、Min 发表于 2012-5-16 08:33
% J5 g0 M& Y: y5 S& `+ |; W貌似,PATTERN 与 结构设定OK后,电容值与ITO Film的方阻没多大关系,主要与产品各部件的厚度及介电常数有关 ...
. n: ]+ m' G0 C! I, [  C& [
电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的是报点率的问题。' z' i% x5 h3 |$ @( A
发表于 2012-5-16 09:20:22 | 显示全部楼层
pixcir 发表于 2012-5-16 08:55 0 Q1 g# q2 T5 D1 k1 z
电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的 ...
+ s1 Y# l& y% J
恩,了解,我之前的回复是回答前面有位仁兄提及的某项目,两次打样样品电容值差很多,其怀疑是ITO Film烘烤方阻变化的问题。
2 B" w; L: g! |; k! s/ e( ^$ ^( m$ Q6 k
发表于 2012-5-17 05:34:13 | 显示全部楼层
能不能搞点资料发给我啊 910610161@qq.com
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