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楼主: pixcir

ITO方阻和IC驱动的关系

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发表于 2012-5-14 00:55:24 | 显示全部楼层
:lol
发表于 2012-5-11 21:41:01 | 显示全部楼层
发表于 2012-5-12 21:36:56 | 显示全部楼层
支持一下,好贴
发表于 2012-5-12 23:18:35 | 显示全部楼层
好贴~~~~~~
发表于 2012-5-14 15:58:15 | 显示全部楼层
方阻与线阻概念不能混了,不然大家会误解。
) t/ Z  k$ A# ^# _( B方阻是在镀膜的时候已经定了的。线阻是在做SENSOR设计时才定。
发表于 2012-5-16 08:33:21 | 显示全部楼层
貌似,PATTERN 与 结构设定OK后,电容值与ITO Film的方阻没多大关系,主要与产品各部件的厚度及介电常数有关系。
 楼主| 发表于 2012-5-16 08:54:30 | 显示全部楼层
snmq623 发表于 2012-5-14 15:58 ) q, S: E( S7 k4 L: R
方阻与线阻概念不能混了,不然大家会误解。
5 U* g+ R0 y. t' G  [, s- P方阻是在镀膜的时候已经定了的。线阻是在做SENSOR设计时才定。

: C$ w- {1 u1 R  d) @8 e8 \' L感谢提醒。改了。
, s- w6 `- k0 [1 e/ B
 楼主| 发表于 2012-5-16 08:55:59 | 显示全部楼层
Akuma、Min 发表于 2012-5-16 08:33 0 i1 U2 K5 A0 X! B
貌似,PATTERN 与 结构设定OK后,电容值与ITO Film的方阻没多大关系,主要与产品各部件的厚度及介电常数有关 ...

1 Y% }6 s3 U: |0 B; b电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的是报点率的问题。
- v" f7 r6 w0 |
发表于 2012-5-16 09:20:22 | 显示全部楼层
pixcir 发表于 2012-5-16 08:55
5 n% u  P3 ^* s8 p' A# t: ]电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的 ...

3 d: I1 c2 {: |2 t- i  r+ C% a 恩,了解,我之前的回复是回答前面有位仁兄提及的某项目,两次打样样品电容值差很多,其怀疑是ITO Film烘烤方阻变化的问题。
0 n6 U( S: [% e
发表于 2012-5-17 05:34:13 | 显示全部楼层
能不能搞点资料发给我啊 910610161@qq.com
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