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楼主: pixcir

ITO方阻和IC驱动的关系

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发表于 2012-5-14 00:55:24 | 显示全部楼层
:lol
发表于 2012-5-11 21:41:01 | 显示全部楼层
发表于 2012-5-12 21:36:56 | 显示全部楼层
支持一下,好贴
发表于 2012-5-12 23:18:35 | 显示全部楼层
好贴~~~~~~
发表于 2012-5-14 15:58:15 | 显示全部楼层
方阻与线阻概念不能混了,不然大家会误解。
  _0 B  W8 d+ C2 R! P- ?$ L% X方阻是在镀膜的时候已经定了的。线阻是在做SENSOR设计时才定。
发表于 2012-5-16 08:33:21 | 显示全部楼层
貌似,PATTERN 与 结构设定OK后,电容值与ITO Film的方阻没多大关系,主要与产品各部件的厚度及介电常数有关系。
 楼主| 发表于 2012-5-16 08:54:30 | 显示全部楼层
snmq623 发表于 2012-5-14 15:58
) s! l1 a$ W9 v7 {  j/ E- z方阻与线阻概念不能混了,不然大家会误解。
- i9 s! x# o; u" r方阻是在镀膜的时候已经定了的。线阻是在做SENSOR设计时才定。

' ?& f- V! K4 I, z7 }5 f# \2 Y感谢提醒。改了。9 E& p# |( }6 x8 s2 i
 楼主| 发表于 2012-5-16 08:55:59 | 显示全部楼层
Akuma、Min 发表于 2012-5-16 08:33 5 b/ V. @* c8 F9 Z0 E! l) W
貌似,PATTERN 与 结构设定OK后,电容值与ITO Film的方阻没多大关系,主要与产品各部件的厚度及介电常数有关 ...

. l% z8 J  L. s+ M7 V9 T  M$ k4 O电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的是报点率的问题。5 L% n- ~) N+ W3 X: B1 J
发表于 2012-5-16 09:20:22 | 显示全部楼层
pixcir 发表于 2012-5-16 08:55 $ j7 v- L) f+ i* }7 n
电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的 ...

* P  h* M- a& ?8 t/ Z/ Y' k3 @ 恩,了解,我之前的回复是回答前面有位仁兄提及的某项目,两次打样样品电容值差很多,其怀疑是ITO Film烘烤方阻变化的问题。
4 f7 f: j" `! T& }8 p5 W1 l  G
发表于 2012-5-17 05:34:13 | 显示全部楼层
能不能搞点资料发给我啊 910610161@qq.com
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