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楼主: pixcir

ITO方阻和IC驱动的关系

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发表于 2012-5-17 16:15:25 | 显示全部楼层
发表于 2012-5-20 19:34:21 | 显示全部楼层
顶一个 。。楼主可以加可以QQ吗?  一些想请教你!!  诚心诚意啊- -!
发表于 2012-5-20 19:34:39 | 显示全部楼层
274572281.。。   
发表于 2012-5-21 11:34:09 | 显示全部楼层
这个还是不错啊
发表于 2012-5-21 09:37:38 | 显示全部楼层
希望达人可以解释一下
9 E8 O4 `' X: o3 c图案的线阻是怎么计算出来的~~~4 h' N5 F% A( _8 q* R5 O6 T* k
实际生产中用表笔量两端时,位置偏一点点就差别好大
发表于 2012-6-26 23:38:09 | 显示全部楼层
学习了,谢谢
发表于 2012-6-29 09:34:30 | 显示全部楼层
:)
发表于 2012-6-29 10:14:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 dakptl 于 2012-6-29 10:15 编辑 : X! M& c1 Y+ D9 B0 j5 w8 t5 z
: h" J) u( l8 y; v1 v  a
弱弱问一下:c公司一款线阻高达M级别的IC有何特别之处?
发表于 2012-6-29 10:37:09 | 显示全部楼层
pixcir 发表于 2012-5-16 08:55
' v% U. t  n  J0 N& c5 N( z电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的 ...
; I8 ]- i# F; h7 E" K  ~' {
能不能请解释下ITO的工艺,镀膜是指哪个工艺。方阻在什么工艺定下来呢,谢谢
5 F, M7 ^1 e6 L9 k: d! P4 {
发表于 2012-7-2 13:55:10 | 显示全部楼层
好贴不能沉~
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