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楼主: pixcir

ITO方阻和IC驱动的关系

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发表于 2012-5-17 16:15:25 | 显示全部楼层
发表于 2012-5-20 19:34:21 | 显示全部楼层
顶一个 。。楼主可以加可以QQ吗?  一些想请教你!!  诚心诚意啊- -!
发表于 2012-5-20 19:34:39 | 显示全部楼层
274572281.。。   
发表于 2012-5-21 11:34:09 | 显示全部楼层
这个还是不错啊
发表于 2012-5-21 09:37:38 | 显示全部楼层
希望达人可以解释一下0 y+ M- {  j# C8 z
图案的线阻是怎么计算出来的~~~. K$ ^% E; R! `4 Y" N9 S
实际生产中用表笔量两端时,位置偏一点点就差别好大
发表于 2012-6-26 23:38:09 | 显示全部楼层
学习了,谢谢
发表于 2012-6-29 09:34:30 | 显示全部楼层
:)
发表于 2012-6-29 10:14:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 dakptl 于 2012-6-29 10:15 编辑
8 i+ ]7 [$ S& w* s4 Q" y1 V% {+ A
弱弱问一下:c公司一款线阻高达M级别的IC有何特别之处?
发表于 2012-6-29 10:37:09 | 显示全部楼层
pixcir 发表于 2012-5-16 08:55 4 Y3 D4 u* @1 O8 R9 m6 Y$ n9 W
电容值如你所说的,结构定下来之后,电容值是不会变化的。我这里说的是充电时间会和电阻有关系,这关系的 ...

( S- G$ [3 B4 ?能不能请解释下ITO的工艺,镀膜是指哪个工艺。方阻在什么工艺定下来呢,谢谢5 e) t: g) A( {' ?
发表于 2012-7-2 13:55:10 | 显示全部楼层
好贴不能沉~
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