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高端ArF光刻胶已经获得了国内某企业的认证

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发表于 2021-6-2 21:25:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
南大光电高端ArF光刻胶技术获突破,有助打破美日垄断格局。光刻胶,又称光致抗蚀剂,是整个光刻工艺中最核心的材料之一。在芯片生产中,光刻胶是必不可少的材料。但目前,光刻胶的国产化程度很低,国内晶圆厂商较多依赖进口。
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据悉,根据不同技术类别,国内低端的g线/i线光刻胶自给率约为20%,KrF光刻胶自给率不足5%,而高端的ArF光刻胶完全依赖进口,也因此成为中国急需攻克的半导体卡脖子技术之一。1 ?" n& H- b* m7 l) ^
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而近日国产光刻胶行业传来了好消息。国内厂商南大光电宣布,该公司研发的高端ArF光刻胶已经获得了国内某企业的认证,可用于55nm工艺制造。
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( Z' r) m$ z  X% a2 z8 b5月31日晚间,南大光电发布公告称,其控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继去年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破,表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。
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据悉,虽然本次南大光电的ArF光刻胶通过的是55nm工艺认证,但ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广,可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺,目前广泛应用于高端芯片制造。
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5 @! d% b! P# e" E" l  W* N目前,受全球“芯片荒”刺激,进口芯片普遍涨价,而国内本土晶圆厂也收获了大量订单,这使得芯片生产中所需的上游原材料更是供不应求。受此利好,国产光刻胶也接到了不少订单。( [( E6 Q  J& \4 f" {& z" Z+ R

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不过,在极高的技术壁垒下,光刻胶市场仍常年处在美国和日本几家公司的垄断格局之下。据悉,目前JSR、信越化学等TOP5厂商占据全球87%的份额。9 Z$ M2 s: B) c; M$ m
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  A2 n, {$ q# C: `2 ?4 j国外垄断化加上光刻胶本身的保质期较短(6-9个月),一旦遇到突发事件,对我国芯片制造就会造成负面影响。因此,光刻胶的国产化势在必行,而此次南大光电的技术突破,显然为此开了个好头。

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